脑缺血后神经元程序性死亡与迟发性神经元坏死(2)
2014-06-22 01:04
导读：2.2 局灶性脑缺血 Linnik［16］等在大鼠局灶性脑缺血模型的缺血区检测到了凋亡特征性的“DNA梯”样染色质改变，同时通过蛋白质合成抑制环己酰胺的脑室
2.2 局灶性脑缺血 Linnik［16］等在大鼠局灶性脑缺血模型的缺血区检测到了凋亡特征性的“DNA梯”样染色质改变，同时通过蛋白质合成抑制环己酰胺的脑室灌注能明显减少梗死面积。Li等人［17，18］利用原位缺口终端标记的方法显示了局灶性脑缺血时的神经元凋亡，5μm厚的鼠脑冠状切片上，对照组有0～3个凋亡细胞；大脑中动脉缺血不同时间后，再灌注48h取脑观察，10～20min的缺血能见到10～20个凋亡细胞，分布在选择性坏死区、视前区和纹状体，30～60min缺血时有30～60个凋亡神经元，亦分布在皮质的选择性坏死区，缺血90～120min可见70～200个凋亡细胞分布在梗死边缘带的内缘皮质、纹状体、海马和嗅结节。笔者在另一篇文章里报道了局灶性脑缺血，再灌注损伤的细胞凋亡与再灌注持续时间的关系。利用同样的动物模型，缺血2h再灌注0.5h～28天，发现再灌注0.5h即可出现凋亡细胞的增多，再灌注24～48h达高峰，持续再灌注28天，成群的凋亡细胞在梗死周边的内缘。缺血组织DNA凝胶电泳能见到特征性的“DNA梯”。结合免疫细胞
化学方法证实凋亡的细胞大部分为神经元(占90%～95%)，部分为星形胶质细胞，提示脑缺血时细胞凋亡是一个不断发生的动态过程。这说明在局灶性脑缺血时有凋亡性神经元死亡伴随着神经元坏死，并且这种凋亡性神经元死亡主要分布在中度至重度缺血区域的半暗带附近，如能阻止这一过程可能阻止梗死范围的扩大。
3 缺血神经元发生PCD的可能机制
脑缺血时与凋亡关系比较密切的几个重要方面是自由基、一氧化氮(NO)、兴奋性毒性和钙超载因素。
3.1 自由基和NO因素 很多化学和物理措施既能诱导凋亡，也能引起氧化应激。低剂量H2O2的直接暴露能诱导多种形式的细胞凋亡。Rothstein［19］的离体实验发现对超氧化物歧化酶(SOD)的慢性抑制可造成持续数周的脊髓神经元凋亡性变性，包括运动神经元。Greenland［20］发现交感神经元除神经营养因子后发现的凋亡能被SOD或SOD cDNA阻止。NO有一个未配对电子，也是自由基，也能与O2反应生成O2-和H2O2。NO也能与O-2反应生成过
