高性能FLASH存储器在DSP电机智能保护中的应用(2)

CE：片选线，低电平有效，高电平时芯片处于空闲状态；

OE，WE:分别为读、写控制线。图3给出了对FLASH编程时，CE、OE和WE的状态时序。

其中，PD为编程数据，tch为CE持续时间，tcs为CE建立时间，tDS为数据建立时间，tDH为数据维持时间，twp为写脉冲宽度。

1.3 Am29F010B与TMS320C32的硬件接口

Am29F010B与TMS320C32的硬件接口电路原理图如图4所示。图中，Am29F010B的17根地址线A0～A16分别与TMS320C32的A0～A16相连。每片Am29F010B的容量为128k×8B。在本开发系统中，数据采用的是32位浮点数，连接方法是将四片8位数据宽的Am29F010B一起与TMS320C32连接，即将四片Am29F010B的D0～D7依次与TMS320C32的D0～D7、D8～D15、D16～D23及D24～D31连接，总容量为128k×32B。

TMS320C32的外扩存储器的寻址空间范围由三组相互独立的控制信号STRB0、STRB1和IOSTRB来控制，可用于对相互独立的存取空间进行操作而不会出现端口冲突。所不同的是，IOSTRB只能用32位宽的程序或数据存储器进行存操作；STRB0和STRB1由各自的四个控制引脚来实现，可以用8/16/32位宽的存储器存取8/16/32位数据，还可以用16或32位宽的程序存储器进行存取操作，因而比较灵活。

图4的设计中使用的是STRB0，Flash所占的128k×32B存取空间的地址范围为000000H～01FFFFH，外围程序存储器配置为32位，可由PRGW置低电平来实现。此时各片的片选信号CE分别由STRB0-B0、STRB0-B1、STRB0-B2、STR