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兼容于IEEE 802.3af标准的受电设备电源设计(2)

2014-12-19 02:13
导读:供电模式下,当VIN上升至欠压锁定门限( VUV-LO,ON)以上时,MAX5941将逐步开启内部N沟道MOSFET管Q1。图1是MAX594

供电模式下,当VIN上升至欠压锁定门限( VUV-LO,ON)以上时,MAX5941将逐步开启内部N沟道MOSFET管Q1。图1是MAX5941的内部接口电路框图。MAX5941用一个恒流(典型值为10μA)对Q1栅极充电。Q1的漏-栅电容限制了MOSFET漏极电压的上升速率,因而限制了浪涌电流。为了降低浪涌电流,也可在外部添加漏-栅电容。当Q1的漏-源电压降至1.2V以下,且栅-源电压高于5V时,MAX5941会发出“电源好”信号。由于MAX5941具有较宽的UVLO滞回和关断消隐时间,因而可补偿双绞电缆的高阻抗。

3 用MAX5941实现48V电源转换

MAX5941是电流模式的PWM控制器,可将48V输入电源转换成5V电压输出,MAX5941用内部稳压器取代高功耗的启动电阻,这不但可为MAX5941提供启动所需的电能,还能稳定第三(偏置)绕组的输出电压,从而为IC提供稳定的工作电源。开始启动时,调节器将V+调整到VCC并为器件提供偏置。启动之后,改由VDD稳压器从第三绕组输出稳定的VCC。此结构只需一只很小的电容即可对第三绕组的输出进行滤波,从而省下了一只滤波电感的成本。

在设计第三绕组时,所设计的线圈匝数应保证最小反射电压始终大于12.7V。而最大反射电压则必须小于36V。

为降低功耗,当VDD电压达到12.7V后,可以将高压调节器关掉。这样可以降低功耗并改善效率。如果VCC降低到欠压锁定门限(VCC=6.6V)以下,低压调节器将被关闭,电路重新进入软启动。此时欠压锁定状态MOSFET驱动器的输出(NDRV)保持为低。

如果输入电压介于13~36V之间,只要不超出最大功耗,就可以将V+和VDD连接到线电压。这样就可省掉第三绕组。 (科教论文网 lw.NsEac.com编辑整理)

4 MAX5941的设计实例

MAX5941的一

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