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(1)CMOS芯片动态功耗
随着半导体制造技术的发展,数字电路从TTL工艺转向CMOS工艺。TTL工艺为电流注入型电路,静态和动态电流消耗接近。CMOS工艺是压控型的,理想情况下("0"、"1"的恒定状态)静态电流为0,实际情况下也是很小的。动态("0"、"1"间的跳变状态)电流消耗占绝对主导地位。CMOS动态功耗计算公式为
式中: Pd--CMOS芯片动态功耗;
Ce--CMOS芯片等效电容;
V--CMOS芯片工作电压;
f--CMOS芯片工作频率或工作状态的切换频率。
从式(1)及各参数含义看,CMOS芯片动态功耗的数值正比于工作电压的平方,同时正比于工作频率。在满足系统功能需求的条件下,降低芯片工作电压和工作频率,都可以极大减少芯片的动态功耗。以处理器工作频率为例,如果工作频率降低一半,则该芯片动态功耗几乎也随之减半。在本PDA系统中,尽管ARM7处理器提供了18MHz、;36MHz、49MHz和74MHz四种工作频率,但我们采用2.5V为低压供电,18MHz工作频率。这些参数在降低系统功耗的同时,也满足了系统性能的需求。
(2)动态电源管理
动态电源管理技术是指有选择地将闲置的系统模块置于低能状态。一个较为复杂的嵌入式系统,除了处理器外还有很多外设电路模块,它们协调工作,共同完成系统功能。 但在分析完成系统功能的过程中可以看出,并不是所有模块在任何时间都处在工作状态。除了嵌入式处理器外,绝大多数外设模块都是在执行某项具体功能的时候(它自己的有效操作期间)才需要供电。如音频模