为微处理器核心供电(2)
2015-12-18 01:26
导读：图2，在无散热片情况下，工业标准封装技术可以提供高于 2.0W 的功率耗散。 图3，按图2 顺序列出的封装以及相对尺寸。 已知负载电流和压差VIN-VOUT确定功
图2，在无散热片情况下，工业标准封装技术可以提供高于 2.0W 的功率耗散。
图3，按图2 顺序列出的封装以及相对尺寸。
已知负载电流和压差VIN-VOUT确定功率损耗，那么如何提高 LDO 稳压器的性能，使之适应标准封装的限制？尽管负载决定了输出电流和电压，但仍可以减小输入电压和 VDIFF。如果能降低这个电压差，就可以减小功耗和封装的约束，也就可以有更多可供选择的 LDO 稳压器方案。
图4，FET 正在代替双极晶极管用于传输晶体管，因为
