IPM死区时间调整硬件解决方案(2)

下面我们推导图3所示电路中电阻和电容的选择：

根据电工学公式，由电阻、电容组成的一阶线性串联电路，电容电压Uc可以用下式表示：

Uc=Uoexp（-t/τ） （1）

τ为时间常数 τ=RC

在图3所示电路中，我们选择ST公司生产的高速CMOS或门电路，它的关门电平为1.35V（电源电压为4.5V），即当输入电压降至1.35/4.5U0=0.3 U0时，输出电平转换有效，因此由式（1）可以推导出：

td =-τln0.3=1.2RC （2）

上式就是我们选择R、C值的指导公式。

例如：需要延时时间为10us，选择精度为5%高频瓷片电容，容量为103P，则

R= 10 *10e-6/1.2C=833Ω，这样R就可选择精度为1%、阻值为820Ω的金属膜电阻。

小结：按照上述方案设计的硬件延时电路，结构简单，成本低廉，可靠性极高，在实际使用时