IGBT的保护(2)

——在焊接作业时，为了防止静电可能损坏IGBT，焊机一定要可靠地接地。

2．2 集电极与发射极间的过压保护

过电压的产生主要有两种情况，一种是施加到IGBT集电极－发射极间的直流电压过高，另一种为集电极－发射极上的浪涌电压过高。

2.2.1 直流过电压

直流过压产生的原因是由于输入交流电源或IGBT的前一级输入发生异常所致。解决的办法是在选取IGBT时，进行降额设计；另外，可在检测出这一过压时分断IGBT的输入，保证IGBT的安全。

2.2.2 浪涌电压的保护

因为电路中分布电感的存在，加之IGBT的开关速度较高，当IGBT关断时及与之并接的反向恢复二极管逆向恢复时，就会产生很大的浪涌电压Ldi/dt，威胁IGBT的安全。

通常IGBT的浪涌电压波形如图3所示。

图中：vCE为IGBT?电极－发射极间的电压波形；

ic为IGBT的集电极电流；

Ud为输入IGBT的直流电压；

VCESP=Ud＋Ldic/dt,为浪涌电压峰值。

如果VCESP超出IGBT的集电极－发射极间耐压值VCES，就可能损坏IGBT。解决的办法主要有：

——在选取IGBT时考虑设计裕量；

——在电路设计时调整IGBT驱动电路的Rg，使di/dt尽可能小；

——尽量将电解电容靠近IGBT安装，以减小分布电感；

——根据情况加装缓冲保护电路，旁路高频浪涌电压。

由于缓冲保护电路对IGBT的安全工作起着很重要的作用，在此将缓冲保护电路的类型和特点作一介绍。