AT93C46/56/55串行EEPROM及单片机程序(2)

（３）地址写指令（ＷＲＩＴＥ）

写指令时，先写地址，然后将１６位的熁颍肝唬犑据写入到指定地址中。当ＤＩ端输出最后一个数据位后，在ＣＬＫ时钟的下一个上升沿以前，ＣＳ必须为低，且需至少保持２５０ｎｓ，然后将ＣＳ置为高电平。需要说明的是：写周期时，每写一个字节需耗时４ｍｓ。

（４）地址读指令（ＲＥＡＤ）

读指令用于从指定的单元中把数据从高位到低位输出至ＤＯ端，但逻辑“０”位先于数据位输出。读指令在ＣＬＫ的上升沿触发，且需经过一段时间方可稳定。为防止出错，建议在读指令结束后，再输出２～３个ＣＬＫ脉冲。

（５）芯片擦指令（ＥＲＡＬ）

该指令可将整个存贮器阵列置为１，其它功能与地址擦指令相同。

（６）芯片写指令煟祝遥粒蹋

该指令可将命令中指定的数据写入整个存贮器阵列，其它功能与地址写指令相同。该指令周期所花费时间的最大值为３０ｍｓ。

（７）擦／写禁止指令（ＥＷＤＳ）

使用该指令可对写入的数据进行保护，操作步骤与擦／写允许指令相同。

３　ＡＴ９３Ｃ５６的应用

３．１ ＡＴ９３Ｃ５６与８０Ｃ１９６ＫＢ的连接

串行ＥＥＰＲＯＭ芯片ＡＴ９３Ｃ５６同８０Ｃ１９６单片机接口的硬件电路连接方法如图２所示。图中，由于ＭＣＳ－９６系列１６位单片机的Ｐ１口为准双向口，因此，为了防止数据错位，在向其Ｐ１口写数据时，必须先将Ｐ１口置“１