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2.2.1 DSP及存储器
F2407中集成了32K字的FLASH EEPROM和1.5k字的RAM,由于控制算法的需要,本系统需扩充外部RAM。TMS320F2407片内的FLASH可用作程序存储器,但在开发阶段使用FLASH作为程序存储极为不便,因为每一次程序的修改都需要对FLASH进行清除、擦除和编程操作,而且进行CCS调试时只能设置硬件断点,故从调试的角度考虑,应扩充程序RAM。为了不增加系统复杂度,从扩充的数据RAM中分出一块作为调试时的程序RAM。如图3所示,CY7C1021为64K×16的SRAM,存取时间最小为10ns,故不需要插入等待周期,可保证系统全速运行。
在调试时,用跳线短接PS和与门输入脚,在存储映像文件中将CY7C1021前32K字设为数据RAM,后32K字设为程序RAM,可将程序实时下载到程序RAM中进行调试,避免了对FLASH的繁琐操作。当开发完成时将VCC和与门短接,同时修改映像文件,将64K RAM全部用作数据存储器,而将程序写入内部FLASH中,系统即可脱离开发环境独立运行。
2.2.2 传感器处理电路及A/D变换
加速度传感器和位移传感器输出需进行预处理后再进行A/D变换。前者输出电荷信号,应用电荷放大器将其转化为电压信号,后者输出微弱的电流信号(数个微安),进行前置放大及相关模拟处理后得到表示位移的模拟电压信号,经过处理的此二路信号分别送入DSP片内A/D转换器的1、2通道进行模/数变换。
图4
2.2.3 PWM调制及驱动