新型IGBT/MOSFET驱动模块SKHI22A/B(2)

２．４ ＳＫＨＩ２２Ａ／Ｂ驱动器的输出级

ＳＫＨＩ驱动器件的输出级采用ＭＯＳＦＥＴ晶体管互补电路的形式以降低驱动源的内阻，同时可加速ＩＧ-ＢＴ的关断过程。图２所示是其输出级电路。图中，ＭＯＳＦＥＴ的源极分别和外部端子进行连接，这样即可通过分别串接的ＲＯＮ和ＲＯＦＦ调节ＩＧＢＴ的开通和关断速度；内部集成电压源可提高模块的可靠性；通过调节电源电压可以在不减小ＶＧＥ的情况下提供满功率输出脉冲，从而防止因ＩＧＢＴ退出饱和而损坏。

２．５ ＳＫＨＩ２２Ａ／Ｂ的短路保护

ＳＫＨＩ模块利用“延时搜索过电流保护”方法熗ü检测ＩＧＢＴ通态压降的变化来实现ＩＧＢＴ的过电流保护。当电路出现短路时，出错信号将由ＶＣＥ输入并通过脉冲变压器传递到差错控制器，以封锁所有到ＩＧＢＴ的脉冲并触发出错信号端（Ｐ１０）。该模块通过调节检测ＶＣＥ电压信号的延时可以避免错误短路信号；其内部带有故障缺省记忆功能，可以防止重复的高电流脉冲对开关管的损坏，经过几个重复的高脉冲之后可以永久封闭脉冲输出。此外，它还同时带有差错信号输出，可以通知主控制板做出相应的动作。