TMS320VC5416并行自举的巧妙实现(2)

2 TMS320VC5416对SST39VF200的在系统编程

2.1 SS39VF200芯片介绍

SST39VF200的操作不像一般的RAM和ROM，除了读数据的过程一样外，其它的操作都不相同，必须按照一定的顺序来执行。

2.2 TMS320VC5416对SST39VF200的编程操作

通常，在对FLASH进行编程之前，必须将FLASH中待写的区域进行擦除，然后才能进行编程操作。需要注意的是，每次对FLASH发出操作命令后，必须等到FLASH完成本次操作才能发送下一个操作命令。判断FLASH执行命令完毕的方式有两种，一是利用数据位D7判断，如果FLASH尚未完成操作，则读该位总是为低，完成操作后该位变成高；二是利用数据位D6判断，如果FLASH尚未完成操作，则相邻两次读到的D6位的值不同。当两次读到的D6位的值都是一样的，表明FLASH完成了本次操作。

下面以数据位D6判断操作完成与否，说明TMS320VC5416对SST39VF200写操作的具体过程，其它操作过程与该过程基本相同。

Void Word_Program(uint * Ad,uint DQ) //Ad为编程地址，DQ为编程数据

{

uint *Ad_Temp,Temp1,Temp2; //定义临时地址指针和数据变量

Ad_Temp=(uint *)(0x55555); //第一个写周期

*Ad_Temp=0x5555; //给地址0x5555,写数据0x00AA

Ad_Temp=(uint *)(0x2AAA); //第二个写周期

*Ad_Temp=0x0055; //给地址0x2AAA,写数据0x0055

Ad_Temp=(uint *)(0x5555); //第三个写周期

*Ad_Temp=0x00A0; //给地址0x5555写数据0x00A0