IGBT驱动芯片IXDN404应用及改进(一)信息工程毕(2)
2013-05-14 01:54
导读：关断大电流时所引起的过电压。慢关断过程时间为t3，由C2和R12决定。由IXDN404工作电压范围为4.5～25V，τ2=R12×C2=4.84μs，可知 t3=τ2ln(15/4.5)=5.83μs （3） 另外
关断大电流时所引起的过电压。慢关断过程时间为t3，由C2和R12决定。由IXDN404工作电压范围为4.5～25V，τ2=R12×C2=4.84μs，可知
t3=τ2ln(15/4.5)=5.83μs （3）
另外，在IGBT开通过程中，如果二极管D2不能及时导通，将造成保护电路的误动作，因此D2要选择快速二极管，也可通过适当增加Z1稳压值和增大电阻R9以增大C1充电时间常数延长保护电路动作时间。但这与保护动作的快速性相矛盾，具体应用时要根据实际电路要求和功率器件的特性作出折中的选择。 2.4 几点说明
1）为使驱动功率达到最大，本电路将两路输入输出并联使用，最大驱动峰值电流可达8A，这个峰值电流是由电容Cc瞬间放电产生；
2）光耦6N137输出为输入反相，IXDN404为同相输入输出，为保证控制逻辑正确，中间需加一级反相器，也可采用带反相的IXDI404；
3）图2中可在E点处加入一个光耦，其输出可作为短路保护信号送给控制逻辑，以封锁本路及其它各路的PWM信号，确保主电路安全；
4）IXDN404驱动电路对脉冲信号非常敏感，实际操作时要保证连线尽量短，输出要用双绞线接IGBT，电路所用元器件也可采用贴片式，既缩小驱动电路体积，也提高了工作稳定度。
图3为实测IGBT的门极驱动信号，其中通道1为输入控制信号，通道2为输出驱动信号。所用IGBT为仙童公司HGTG18N120BND。从图中可以看出驱动电路延迟时间仅为100ns。其中图3（d）为模拟IGBT过流时的保护波形，首先降栅压运行，然后慢关断，最后由于低电压供电，IXDN404输出驱动电压封锁在－2V左右。3 结语
由IXDN404组成的IGBT驱动与保护电路可满足IGBT驱动要求，其特点可归纳如下：
--驱动电源＋20V单路供电，驱动栅压＋15V～－5V；
（科教作文网 zw.nseac.com整理）
--最大驱动峰值电流可达8A，满足大功率IGBT驱动要求；
--电路信号延迟时间短，工作频率可以达到100kHz或者更高，可适应大多数电路需要；
--可实现过流保护及降栅压慢关断功能；
--电路成本相对较低。
综上所述，这种驱动保护电路是一种低成本、高性能的IGBT驱动电路。
