摘要：本文采用磁控溅射技术，通过改变溅射功(3)
2013-09-02 01:19
导读：本文制备的氢化非晶硅薄膜具有两个发光峰，图谱显示硅薄膜发光峰的位置几乎不随溅射功率的变化而改变，结合薄膜的红外光谱可以发现，薄膜中SiO2 含
本文制备的氢化非晶硅薄膜具有两个发光峰，图谱显示硅薄膜发光峰的位置几乎不随溅射功率的变化而改变，结合薄膜的红外光谱可以发现，薄膜中SiO2 含量越高，其光致发光越强。
3 结论 本文采用磁控溅射（MS）镀膜技术制备了氢化非晶硅薄膜。研究了溅射功率对薄膜生长速率的影响；分析了薄膜微观结构、键合类型以及光学性能之间的关系，取得了以下主要结论：
1）硅薄膜的生长速率受溅射功率的影响，随着溅射功率的提高，薄膜生长速率线性增加，当溅射功率为6kW 时，硅薄膜生长速率为最大值0.357nm/s。
2）通过改变溅射功率制备得到的硅薄膜为致密颗粒膜，其结构为非晶态，薄膜中含有少量H，并以SiH2 的形式存在。3）随着溅射功率的提高，薄膜中H 含量逐渐增加，而薄膜的紫外可见透射谱逐渐蓝移，其光学能隙逐渐从1.58eV 增加到1.74eV。
4）光致发光实验显示，硅薄膜具有两处发光峰，分别位于380nm 和730nm，发光峰位置几乎不随溅射功率的改变而变化，随着薄膜中SiO2 含量的增加，两处发光峰均变强。
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参考文献
[1] Peter R, Frank F, Walther F, et al. Crystalline silicon films grown by pulsed dc magnetron sputtering [J].
Journal of Non-Crystalline Solids, 2002, 299-302 (1): 128~132.
[2] Kondo J, Tabata A, Kawamura T,et al. Dependence on substrate temperature of the film structure of μc-Si:Hprepared by RF magnetron sputtering [J]. Vacuum, 2002,66:409~413.
[3] Fukaya K, Mizutani T.Dependence on gas pressure of μc-Si:H prepared by RF magnetron sputtering[J].Vacuum , 2004,74:561~565.
[4] Makihara H,Tabata A, Suzuoki Y, et al. effect of the hydrogen partial pressure ratio on the properties ofμc-Si : H films prepared by rf magnetron sputtering[J].Vacuum, 2000,59:785~791.
（科教范文网http://fw.NSEAC.com编辑发布） [5] A Tabata. Influence of substrate direct current bias voltage on microcrystallinesilicon growth duringradio-frequency magnetron sputtering[J].Vacuum, 2012,82: 777~781.
[6] Bakry AM, El-Naggar AH. Doping effects on the optical properties of evaporated a-Si:Hfilms[J]. Thin Solid Films, 2000, 360 (1-2): 293~297.
[7] Canham L T. Silicon quantum wire array fabrication by electro chemical and chemical dissolution of wafers[J ]. Appl Phys Lett, 1990, 57:1046~1049.
[8] Liao Liangsheng, Bao xiaomao, Zheng Xiangqin, et al. Blue luminescence from si implanted sio2 filmsthermally grown on crystalline silicon[J]. Appl Phys Lett, 1996,68(6):850~852.
[9] Li Xuemei, Wei Xiwen. Summary of light-emitting mechanism of porous silicon[J]. Journalof the semiconductor,1994,19(1):24~29.
