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全部作者： 李建峰 吴志明 王涛 魏雄邦 黎威志 第1作者单位： 电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室 摘要： 本文采用射频反应溅射法制备了VOx薄膜,重点研究了氧分压对薄膜电学性能的影响，在低真空中330 ℃低温退火得到了高性能的VOx 薄膜，制得了具有电阻温度系数较高（-3.97%）和方阻较小的VOx薄膜, 并采用X光电子能谱分析仪XPS 对薄膜的结构及成分进行了分析，经分析计算得到其化学计量式为VO1.9。 关键词： VOx薄膜；射频反应溅射；电阻温度系数 (浏览全文) 发表日期： 2008年04月11日 同行评议：
该文研究了溅射条件主要是氧分压对VOX薄膜电学性能的影响，虽然取得了1些有意义的结果，但总得来说不具有创新性。在写作中，有1些基本的错误，比如：（1）XPS不能用来分析材料的结构，但在摘要中作者声称用XPS分析了薄膜的结构。（2）在第2页中，有1段这样的描述：在氧分压0.3％,......,金属钒没有产生反应......。首先，“金属钒没有发生反应”这个说法不清楚，应该指出金属钒与什么没有发生反应；其次，从本质上说，金属钒不可能没有被氧化，只是氧化的程度较轻而已。 （3）在图1中的升降温度曲线的表示方面，不够清楚。横坐标的温度都是从小到大，如何让读者辩明是升降温曲线？（4）在第3页中，作者描述XPS的分析室真空优于220－7Pa，评审人认为这不可能，希望这是1个笔误。 此外，写作用语不够规范，有多处语法不通。比如：第2页中的“由于靶表面只是吸附...”等等,不1而足。
综合评价： 修改稿： 注：同行评议是由特聘的同行专家给出的评审意见，综合评价是综合专家对各要素的评议得出的数值，以1至5颗星显示。