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低原生缺陷密度的HfN/HfO2高K栅结构中界面反应导

2014-02-18 01:08

全部作者： 萨宁 杨红 康晋锋 第1作者单位： 北京大学微电子所 摘要： 本文利用高温工艺制备了HfN/HfO2高K栅介质的n-FETs和p-FETs，内含原生缺陷密度较低，分别研究了正偏压-温度不稳定特性和负偏压-温度不稳定特性（PBTI和NBTI）。结果显示，Vt的不稳定性主要依赖于应力极性，而与衬底类型无关；在正和负偏压-温度应力（NBT）下均观察到的负阈值电压（Vt）漂移，可以用反应-扩散（R-D）模型表征。衬底注入电子或者空穴诱导的界面反应引起PBTI和NBTI特性：PBT应力下，衬底注入电子诱导了HfO2层/Si衬底界面的Si-O键断裂，导致了PBTI特性；NBT应力下，衬底注入空穴诱导了Si衬底界面的Si-H键断裂，导致了NBTI特性。 关键词： 高K栅介质，HfO2，负偏压-温度不稳定性（NBTI），正偏压-温度不稳定性（PBTI），反应-扩散(R-D)模型 (浏览全文) 发表日期： 2007年12月24日 同行评议：

给出HfN/HfO2 MOSFETs PBTI、NBTI表征，并提出改进模型能较好地解释实验现象，具有创新意义。英文摘要不够简练。建议给出器件尺寸。英文写作总体较流畅，但也存在多处时态不1致的问题：1般叙述实验步骤和方法时用过去时；描述观察现象和结论时用现在时。单复数误用，如第6页倒数第6行was似应为were数学式表达应规范，如high-k, high-K需统1，Ig，Id等1般用斜体，公式出现1般应编号，Vt需用下标。第3页倒数第2行Vt定义似应为1E-7A/um,而非1E-7A/cm。参考文献[16]需给出文章将发表的年限

综合评价： 修改稿： 注：同行评议是由特聘的同行专家给出的评审意见，综合评价是综合专家对各要素的评议得出的数值，以1至5颗星显示。