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纳米柱自旋阀中自旋输运的边界处理

2014-07-19 01:13

全部作者： 陈培毅 张磊 任敏 胡9宁 邓宁 第1作者单位： 清华大学 摘要： 纳米尺度的自旋阀结构中的电流可在无外磁场的情况下发生电流感应磁化翻转效应，因而在构建非挥发存储器方面有着广泛的应用前景。本文运用宏观双通道扩散模型研究了自旋阀结构中的自旋相关输运过程，利用自旋流连续和化学势差连续作为边界条件。理论计算解释了铁磁层和非磁层电阻匹配问题对电流感应磁化翻转效应中临界电流的影响。研究结果可以用于纳米结构的电流感应自旋开关的磁动力学分析。 关键词： 自旋阀，电阻匹配，纳米尺度，电流感应磁化翻转效应 (浏览全文) 发表日期： 2007年11月30日 同行评议：

自旋极化电流诱导的磁化强度翻转等效应是当前凝聚态物理学和材料科学研究领域的热点问题之1，具有重要的理论意义和应用前景。该文采用双通道扩散理论模型，以自旋流连续和化学势差连续作为边界条件，研究了自旋阀结构中，铁磁层和非磁层电阻匹配问题对电流感应磁化翻转效应中临界电流的影响。相关研究成果对深入认识自旋极化电流诱导的磁化强度翻转等效应，以及相关器件的设计研究具有指导意义。

综合评价： 修改稿： 注：同行评议是由特聘的同行专家给出的评审意见，综合评价是综合专家对各要素的评议得出的数值，以1至5颗星显示。