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基于LDMOS器件的F类功率放大器设计

2014-11-02 01:05

全部作者： 伊晓萌 曹建文 于洋 邓云飞 第1作者单位： 哈尔滨工程大学信通学院 摘要： 本文设计了1种工作在1.8GHz的F类功率放大器，使用LDMOS晶体管作为有源器件以便产生高功率和高效率。F类放大器通过对不同的谐波进行调谐来峰化漏极电压和电流的波形，漏极电压波形包含1个或更多的奇次谐波可近似为方波，同时电流包含偶次谐波可近似为半个正弦波，来同时做到高输出功率和高效率。仿真证明该放大器可以达到12W以上的输出并且效率在70%以上超过同等输出功率的AB类放大器 关键词： 高效率；F类；逆F类；LDMOS晶体管；功率放大器 (浏览全文) 发表日期： 2007年09月07日 同行评议：

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