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溅射功率和退火时间对Ca2Si薄膜结构特性的影响

2014-11-26 02:14

全部作者： 任雪勇 谢泉 杨吟野 肖清泉 杨创华 曾武贤 梁艳 第1作者单位： 贵州大学（花溪北校区） 电子科学与信息技术学院 摘要： 采用射频磁控溅射技术在Si（100）衬底上制备出Ca2Si薄膜，研究了溅射功率和退火时间对薄膜的晶体结构、表面形貌的影响。X-射线衍射（XRD）谱和扫描电子显微镜（SEM）图像表明：Ca2Si薄膜为立方结构，且具有非常好的沿(111)向择优生长的特性。随着溅射功率的增加，X-射线衍射峰的强度逐渐变强，半高宽（FWHM）减小，平均晶粒尺寸增加；随着退火时间的增加，虽然衍射峰半高宽（FWHM）减小，平均晶粒尺寸增加，但是X-射线衍射峰的强度逐渐变弱。 关键词： 无机非金属材料，Ca2Si薄膜，射频磁控溅射，溅射功率，退火时间 (浏览全文) 发表日期： 2007年08月20日 同行评议：

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