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Mg2Si电子结构及光学性质的研究

2015-04-12 01:09

全部作者： 陈茜 谢泉 闫万珺 杨创华 赵凤娟 第1作者单位： 贵州大学新型光电子材料与技术研究所，贵州大学电子科学与信息技术学院， 摘要： 采用基于第1性原理的赝势平面波方法系统地计算了Mg2Si基态的电子结构、态密度和光学性质。计算结果表明Mg2Si属于间接带隙半导体，禁带宽度为0.2994eV；其价带主要由Si的3p以及Mg的3s、3p态电子构成，导带主要由Mg的3s、3p以及Si的3p态电子构成；静态介电常数1(0)=18.89；折射率 =4.3460；吸收系数最大峰值为356474.5cm-1；并利用计算的能带结构和态密度分析了Mg2Si的介电函数、折射率、反射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数的计算结果，为Mg2Si的设计与应用提供了理论依据。 关键词： Mg2Si；第1性原理；电子结构；光学性质 (浏览全文) 发表日期： 2007年06月19日 同行评议：

本文利用基于密度泛函理论的赝势平面波方法对Mg2Si的电子结构和光学性质进行计算所得到地结果，有1定的学术价值。尽管这项研究工作国外已经有较多开展，但在从国内人才培养的角度看，还是很有意义的。

综合评价： 修改稿： 注：同行评议是由特聘的同行专家给出的评审意见，综合评价是综合专家对各要素的评议得出的数值，以1至5颗星显示。