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全部作者: 许姗 童敏明 李雪花 杨礼现 第1作者单位: 中国矿业大学信息与电气工程学院 摘要: 本文通过研究氢离子敏场效应传感器(H+-ISFET)的物理化学结构特性得到它的温度特性,总结出它极易产生温度漂移的特点。针对这个缺点,提出了5种抑制温度漂移的方法,使得温度补偿后的H+-ISFET有了较好的温度特性。 关键词: 氢离子敏场效应传感器,H+-ISFET,温度特性,温度补偿 (浏览全文) 发表日期: 2007年07月09日 同行评议:
该文通过分析氢离子敏场效应传感器的特点,传感器的温度漂移,提出了几种抑制温度漂移的方法,具有1定的参考意义。如有实验数据的支持则更好1些。比如补充1些温漂的实际改善情况的数据则更有说服力
综合评价: 修改稿: 注:同行评议是由特聘的同行专家给出的评审意见,综合评价是综合专家对各要素的评议得出的数值,以1至5颗星显示。