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通过JTAG口对DSP外部Flash存储器的在线编程

2014-04-09 01:18 摘要：采用一种简单可行的方法，在TI公司TMS320C6X DSP集成开发环境CCS2.0下，通过JTAG口实现对DSP外部Flash可擦写存储器的在线编程；将用户数据文件烧写到DSP的外部Flash中，并在TMS320C6711 DSP板上多次测试通过。

引言

在采用TI数字信号处理器（DSP）的嵌放式硬件系统开发完成，软件也有CCS2.0集成开发环境下仿真测试通过后，怎样将编译、链接后生成的可执行文件（.Out），经过转换后的十六进制文件（.Hex）写入硬件系统的Flash存储器中，让系统脱机运行，这是许多DSP开发人员及初学者遇到并需要解决的问题。

从JTAG接口对DSP外部Flash的编程方法不只一种。本文以TMS320C6711-150 DSK板为例，介绍“在线仿真状态下”对Flash的编程。

1 Flash存储器的擦除

Flash编程之前，应对Flash进行擦除，使其每个数据位都恢复为1状态，即全FF状态。对Flash的擦除操作需要6个总线周期，总线时序如图1。

从图1可知，各总线周期的操作为：

第一总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H；

第二总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H；

第三总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据80H；

第四总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据AAH；

第五总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H；

第六总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据10H。

完成上述操作后，Flash存储器被完全擦除，内部数据恢复为初始状态，全为FFH。

在TMS320C6711中，用C语言完成上述操作为：

void erase_flash()

{

*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa;

*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055;

*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x0080;

*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa;

*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055；

*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x0010；

}

在TMS320C6711系统中，Flash所在地址段为CE1空间，其开始地址为0x90000000。这样，其中的FLASH_ADR1、FLASH_ADR2在头文件中被定义为：

#define FLASH_ADR1 0x90005555

#define FLASH_ADR2 0x90002AAA

需要说明的是，在对Flash进行擦除时，应对DSP及EMIF外存储器接口进行初始化，CE1空间定义为8位读写模式。

初始化函数如下：

void c6x11_dsk_init(){ /*DSP和EMIF初始化*/

CSR=0x100; /*禁止所有中断*/

IER=1； /*禁止除NMI外的所有中断*/

ICR=0xffff; /*清除所有未完成的中断*/

*（unsigned volatile int *）EMIF_GCR=0x3300;

*(unsigned volatile int *)EMIF_CE0=0x30;

*(unsigned volatile int*)EMIF_CE1=0xffffff03;

*(unsigned volatile int*)EMIF_SDCTRL=0x07227000;

*(unsigned volatile int*)EMIF_SDRP=0x61a;

*(unsigned volatile int*)EMIF_SDEXT=0x54529;

}

2 Flash存储器的编程

对Flash存储器进行字节编程之前，需要对它进行3个周期的编程指令操作，总线时序如图2。

从图2可知，各总线周期的操作如下：

第一总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据AAH；

第二总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H；

第三总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据A0H；

第四总线周期——向地址的存储单元写入编程数据；

……

在TMS320C6711中，用C语言完成上述操作为：