利用F206片内Flash进行在线编程(2)

F206的Flash存储器块中只有4个寄存器SEG_CTR、TST、WADRS、WDATA，其余都是重复显示相同的内容，其功能如下所述。

*SEG_CTR：片段控制寄存器，其高8位（MSBS）用于选择相应片段。该位置“1”，则使能相应的片段，可以进行擦写。因此F206中16K×16的Flash块分为8个片段，每个片段2KB.低8位（LSBS）用来控制Flash块的擦除、写入、校验等操作，如图3所示（各个控制位的具体设置方法请查阅TI相关参考资料）。

*TST：测试寄存器，通常不用。（保留，用于测试。）

*WADRS：写地址寄存器，用于存储写操作地址。

*WDATA：写数据寄存器，用于存放写操作数据。

（2）清“0”操作

清“0”操作按扇区进行，F206的Flash每一区的大小为32个字（WORD）。进行清“0”操作就是对Flash存储单元的非零位（即值为“1”）写入0，使各数据位的边缘保持一致；通常的做法是将Flash存储单元中的数据读出，与FFFFh进行异或（XOR）后，再写回Flash存储单元中。清“0”操作后，需调用VER0功能对Flash块进行0校验。

（3）置“1”操作

置“1”操作按扇区进行，对每个存储单元写入“1”；执行置“1”操作后需要调用VER1功能进行校验。置“1”操作后，Flash块存储单元的值均为FFFFh。如果置“1”正确，