基于表面等离子体效应的光开关研究现状和进展(3)
2017-08-22 05:11
导读：4.3 二维孔阵列型 半导体孔阵列结构：该开关与上述半导体SPs热光开关极为相似［11］，是C.Janke和J.Gómez Rivas等人在半导体SPs热光开关［2］基础上，利用
4.3 二维孔阵列型
半导体孔阵列结构：该开关与上述半导体SPs热光开关极为相似［11］，是C.Janke和J.Gómez Rivas等人在半导体SPs热光开关［2］基础上，利用InSb材料的光生载流子效应，以周期性方孔阵列的InSb二维光栅为结构实现的.光栅厚度h=130μm，小孔边长d=65μm，小孔周期D=300μm.抽运光是中心波长为780nm的Ti宝石激光，脉冲宽度为100fs，信号光为300—700μm的THz波.当抽运光照射到InSb二维光栅上时，通过光生载流子效应调节半导体材料的介电常数，调控其光栅结构的THz-SPs透射增强效应.开关速度主要取决于载流子浓度对抽运光的响应，约50ns，利用载流子寿命更短的材料有望进一步提高开关速度.该类SPs光开关结构相对简单，速度较快，容易集成，有望实现基于SPs效应的各种超快调制器件.
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光子晶体集成光电子器件
量子信息科学在
中国科学技术大学的兴起和发展
