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全部作者: 王东 张景文 韩峰 张新安 毕臻 边旭明 侯洵 第1作者单位: 西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室 摘要: 本文采用激光分子束外延法在蓝宝石衬底(0001)上生长了高度c轴择优取向的高质量ZnO薄膜,对生长的薄膜在空气中进行900℃ 退火处理,并对退火前后样品的结晶质量、发光特性进行x射线衍射(XRD)、变温光致发光(PL)研究。退火处理后的ZnO薄膜(0002)面XRDθ-2θ扫描曲线强度明显增强。在光致发光实验中,观测到薄膜分别在3.352eV、3.309eV和 3.237eV附近3个明显的近紫外发光峰,分别对应自由激子发射、中性施主或受主束缚激子I9及其声子伴线1LO。随着温度升高,峰位逐渐向长波方向移动(即“红移”),半高宽(FWHM)逐渐展宽;发光谱中,来自于晶体缺陷的深能级(DL)区发光强度极小。 关键词: 激光分子束外延、ZnO、退火、光致发光、激子 (浏览全文) 发表日期: 2006年11月22日 同行评议:
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