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MgZnO/ZnO单量子阱结构的光波导效应

2013-06-22 01:01

全部作者： 边旭明 张景文 侯洵 第1作者单位： 西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室 摘要： 为了精确的设计建模MgZnO/ZnO异质结光电设备，对ZnO及其合金的基本光电特性有个精确的认识是很重要的。目前， MgZnO/ZnO量子阱光波导效应还没有报道。我对MgZnO/ZnO量子阱的光波导效应作了初步的研究，对不同情况下量子阱结构的光强分布和有源层的光限制因子Г做了计算，综合考虑了有源层厚度、波导层的厚度及波导层x值变化对以上参数的影响。在以上计算结果的基础上，对有源层和波导层的厚度、波导层和限制层的Mg浓度x做了光学方面的优化设计。通过分析计算结果得到了优化的波导层厚度和适宜的波导层Mg摩尔含量，建立了比较具体的MgxZn1-xO/ZnO5层分别别限制单量子阱模型。 关键词： MgZnO/ZnO量子阱，光波导效应，光限制因子Г，光强分布 (浏览全文) 发表日期： 2006年11月27日 同行评议：

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