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SiO2/Si衬底上制备增强型ZnO薄膜晶体管

2013-09-03 01:04

全部作者： 张新安 张景文 侯洵 第1作者单位： 西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室 摘要： 在NH3和O2的混合气氛下，采用激光分子束外延法（L-MBE）在SiO2/p-Si衬底上制备氮掺杂ZnO薄膜， XRD分析表明ZnO薄膜掺入微量的氮后仍有很高的结晶质量和高度的C轴择优取向性，（0002）面摇摆曲线的半峰宽仅为1.89°；并在此基础上制备了以氮掺杂ZnO薄膜为沟道层、以SiO2为绝缘层的底栅式薄膜晶体管，电学测试表明该晶体管工作在N沟道增强模式，阈值电压为5.15V，电流开关比为104，电子的场迁移率达到2.66 cm2/V•S。 关键词： ZnO 薄膜； 激光分子束外延；薄膜晶体管；迁移率 (浏览全文) 发表日期： 2007年01月15日 同行评议：

以氮掺杂ZnO为沟道材料，SiO2为栅介质的TFT具有1定创新性。修改内容： （1）图3的图注下标有误； （2）结论中涉及“AFM”和“表面形貌”，但正文中无相关内容。 　

综合评价： 修改稿： 注：同行评议是由特聘的同行专家给出的评审意见，综合评价是综合专家对各要素的评议得出的数值，以1至5颗星显示。