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平带条件下SOI nLIGBT漂移区表面小注入间接复

2013-09-11 01:34

全部作者： 张海鹏 华柏兴 宋强 徐丽燕 林弥 吕伟锋 牛小燕 吕幼华 第1作者单位： 杭州电子科技大学 摘要： 首先简介了所提出的1种基于硅-2氧化硅界面态能级连续分布多项式插值近似的平带条件下SOI nLIGBT漂移区表面小注入间接复合寿命模型。接着通过对该模型的分步具体化探讨了该模型的矩阵模拟算法。然后利用循环嵌套矩阵模拟算法对该模型进行编程模拟。最后对模拟结果进行讨论分析。 关键词： 小注入；SOI nLIGBT；漂移区表面；间接复合寿命；模拟；界面态分布 (浏览全文) 发表日期： 2007年01月16日 同行评议：

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