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铪基高k栅介质纳米MOSFET栅电流模拟分析

2013-10-11 01:28
导读:网络工程论文毕业论文,铪基高k栅介质纳米MOSFET栅电流模拟分析怎么写,格式要求,写法技巧,科教论文网展示的这篇论文是很好的参考: 全部作者: 王伟 孙建平 顾宁

全部作者: 王伟 孙建平 顾宁 第1作者单位: 东南大学 摘要: 运用1种量子模型研究铪基高k栅介质纳米MOSFET栅隧穿电流,对栅电流中的3维电流成分用行波统1地计算热发射电流、通过介质势垒的FN (Fowler- Nordheim) 隧穿电流,直接隧穿电流,带间隧穿电流;对2维栅电流成分通过反型层势阱中准束缚态的隧穿率计算。运用该方法计算了各种铪基高k介质材料和结构的MOSFET栅极电流, 并进行了分析比较。研究了铪基高k介质中氮、铪和铝等元素含量及界面层对栅极电流的影响。结果显示,为最大限度减少MOS器件的栅电流,需要优化介质中氮含量、铝含量及界面层厚度。本模型能够与实验结果很好地吻合。 关键词: 高k;栅电流;量子模型 (浏览全文) 发表日期: 2006年06月06日 同行评议:

作者在已有自己研究工作的基础上,发展了纳米MOSFET栅隧穿电流模型。计算结果与实验相1致,且文中给出的结果对发展铪基高k栅介质纳米MOSFET栅有指导意义。 下面问题请作者考虑: (1)作者单位:Southest University,书写有误,改为Southeast University (2)中文摘要:“……计算了各种铪基高k介质材料…..”中“各种”建议改为“多种”。 (3)Fig. 2 图题中,Data of crystallization temperature are from [1](上标). 文献[1]的标注不应是上标,应为“from [1]”,其余同。 (4)Fig. 3(a) 中标了5种情况,实际有6根曲线。 (5)Fig. 5 下面的正文文字(1,2行)字号大小不1样大。  

综合评价: 修改稿: 注:同行评议是由特聘的同行专家给出的评审意见,综合评价是综合专家对各要素的评议得出的数值,以1至5颗星显示。

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