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6H-SiC衬底上SiCGe薄膜的生长特性研究

2014-07-07 01:15

全部作者： 林涛 李佳 李连碧 李青民 蒲红斌 陈治明 第1作者单位： 西安理工大学电子工程系 摘要： 采用低压热壁化学气相沉积法，在6H-SiC衬底(001)面上生长了不同温度（1100℃~1250℃），不同GeH4流量比（13.8%~44.4%）的SiCGe薄膜样品，研究了SiCGe薄膜的表面形貌、生长特性以及样品中Ge组分含量的变化。扫描电镜测试结果表明，SiCGe薄膜在低温下倾向于岛状生长模式，随着生长温度提高，岛状生长逐渐过渡到层状生长模式，同时伴有岛形状和密度的变化。X射线光电子能谱测试得出SiCGe样品中Ge含量约为0.1％～0.6％，在其他参数不变的情况下，样品的Ge含量随GeH4流量比的增大而升高，随生长温度的降低而升高。此外本文还定性分析了样品中的反相边界缺陷（APB）。 关键词： SiC；SiCGe；化学气相沉积；APB；岛状生长 (浏览全文) 发表日期： 2007年10月22日 同行评议：

在6H-SiC 衬底上采用低压热壁CVD 法生长SiCGe 薄膜，用SEM 和XPS的测试表明：SiCGe 薄膜在低温下倾向于岛状生长模式，随着生长温度提高，岛状生长模式逐渐过渡到层状生长，样品中的Ge 含量随淀积温度的升高而降低；当生长温度为1250℃时，样品可以得到较好的表面形态，增加反应源中的GeH4 流量比可以在1定程度上增加SiCGe 样品中的Ge 含量，对SiCGe 薄膜中的反相边界缺陷进行了定性分析。

综合评价： 修改稿： (第1版)(2007-10-26) 注：同行评议是由特聘的同行专家给出的评审意见，综合评价是综合专家对各要素的评议得出的数值，以1至5颗星显示。