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SiC衬底上SiCGe外延薄膜的结构分析

2014-11-04 01:06
导读:通信工程论文毕业论文,SiC衬底上SiCGe外延薄膜的结构分析样式参考,免费教你怎么写,格式要求,科教论文网提供大量范文样本: 全部作者: 陈治明 李连碧 林涛 蒲红

全部作者: 陈治明 李连碧 林涛 蒲红斌 李佳 李青民 第1作者单位: 西安理工大学 摘要: 用SEM和TEM对热壁化学气相沉积法(HWCVD)在SiC衬底上外延生长的SiCGe薄膜进行了结构分析,发现薄膜生长具有明显的随温度改变的岛状生长特征,且遵循Stranski-Krastanov(SK)生长模式。温度较低时,在生长初期形成的2D生长层的上方,样品具有两种不同的岛状结构:1种是球形结构,另1种是3角型层状堆叠结构。前者形状规则,在样品中占主导地位,后者具有锐利整齐的台阶状边缘,数量较少。随着温度的升高,球形岛逐渐减少,3角岛逐渐增多,且在高温下样品中的3角岛占主导地位。高分辨TEM 分析表明,高温SiCGe/SiC样品的界面清晰整齐,其生长初期形成的2D层厚度达到了40nm,几乎为温度较低时2D生长层厚度的两倍。衍射花样的标定表明:2D层和3角岛为闪锌矿型结构,而球形岛则为金刚石型结构。 关键词: SiC;SiCGe;岛状生长;热壁化学气相沉积 (浏览全文) 发表日期: 2007年07月30日 同行评议:

研究分析了SiCGe在SiC衬底上外延生长过程中温度对薄膜结构的影响。有1定的新颖性,对于该领域的研究人员有参考价值。但文中有1些小错误需要修改,如英文摘要中倒数第3行“TED”是否应该为“TEM”。还有,最好对实验结果做1些更深入的讨论,这样可以提高的学术水平。 

综合评价: 修改稿: 注:同行评议是由特聘的同行专家给出的评审意见,综合评价是综合专家对各要素的评议得出的数值,以1至5颗星显示。

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