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溅射功率对Ca2Si薄膜性质的影响

2015-04-03 02:36

全部作者： 任雪勇 谢泉 杨吟野 肖清泉 杨创华 曾武贤 梁艳 第1作者单位： 贵州大学 电子科学与信息技术学院 摘要： 采用射频磁控溅射技术在Si（100）衬底上沉积了Si-Ca-Si薄膜，并在高真空条件下对样品进行退火处理，直接生成立方相Ca2Si薄膜。研究了不同溅射功率对薄膜的晶体结构、表面（断面）形貌的影响，并对其光学性质进行了测试分析。结果表明：Ca2Si薄膜为立方结构且具有沿(111)向择优生长的特性，当溅射功率为120W时，Ca2Si薄膜变的均匀、致密，在 4000Å -8000 Å波长范围内，溅射功率对折射率n和吸收系数k的影响较小。 关键词： 射频磁控溅射，Ca2Si薄膜，溅射功率 (浏览全文) 发表日期： 2007年07月12日 同行评议：

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