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摘要:通过选择低功耗器件,特别是高效率DC/DC变换器,合理进行电路板布线,优化结构级设计,进行系统级功率管理,从而延长电池工作时间。根据多媒体终端的要求,选择了许多新工艺器件,极大地降低了系统功耗。
关键词:低功耗 OMAP1510 能源效率 DC/DC变换器
手机、PDA等手持设备对图像、音频处理能力的要求日益提高,同时要求设备的体积、重量越来越小。这些设备一般靠单节可充电锂电池作为电源。因而提高处理能力,降低系统功耗以延长电池工作时间是手持设备的重要研究课题[1]。
参考文献[1]讨论了低功耗的系统设计技术,特别强调减小电容,缩减不必要的开关行为,降低电压和频率。外部器件间的连接通常比片上连接电容更大。实验证明10%~40%的能量消耗在总线多工器驱动器上。应减少输出,尽量使用片上资源。单纯降低频率并不能降低功耗,因为完成同样的任务需要更长的时间。降低电压会导致性能降低,通过增加并行器件来弥补。选择低电压的CMOS芯片,芯片内各个功能模块应能分别进行低功耗的管理。CMOS器件的功耗主要分两类:静态功耗和动态功耗。运态功耗依赖于工作频率,静态功耗与工作频率无关。偏置电流(Pb)和泄漏电流(Pl)引起静态功耗,短路电流(Psc)和动态功耗(Pd)是由电路的开关行为引起的。器件总功耗P可以表示为:
P=Pd+Psc+Pb+Pl
Pd=Caff V2 f
Ceff= C
上式中,V和f分别是器件工作电压和频率,Ceff是等效的开关电容,C是允放电电容,是活跃性加权因子,表示电路状态发生改变的概率。CMOS器件功耗的85~90%是动态功耗,而动态功耗与工作电压的平方成正比。因此选择低电压器件能极大地降低功耗。
1 主处理器选择
目前在手持设备中,主要运用ARM处理。ARM处理器的优点是价格低、功耗小,特别适合各种控制功能[2]。ARM芯片采用冯·诺依曼结构,指令、数据地址存储统一编址,使用单一的32位数据总线传送指令和数据。这种体系结构使ARM控制功能较强,媒体处理速度较慢,适合人机接口和通信协议。为了提高媒体处理能力,INTEL在PXA250 Xscale芯片上增加了协处理器,用来进行乘累加。TI的OMAP1510芯片内部集成了一个ARM925核及一个C55X核。ARM工作频率高达175MHz。C55X采用哈佛结构,具有程序总线、三条读数据总线和二条写数据总线。C55X具有两个硬件乘累加单元、两个ALU,还有用于DCT/IDCT、运动估计、1/2像素内插的硬件加速器。工作电压1.6V,视频高达到200MHz。C55x指令集从8~48比特,改善了代码密度,减少了存储器访问次数。
2 最小单片机系统(存储器)
目前存储器主要有:SRAM、SDRAM、FRAM、EEPROM、FLASH。由于平台常存储大量数据,如操作系统应用程序,可以选择FLASH,如INTEL 28F128L18[3]。28F128L18初始访问时间是85ns,异步页模式为25ns,同步突发为54MHz,能在读周期完成后自动进入功率节省模式,片选无效或复位有效时进入standby模式,电流大约50uA,异步读电流大约18mA。为了回快应用程序的招执,配置SDRAM或者SRAM。由于SDRAM比SRAM容量大、价格便宜,选用SDRAM用于数据存储。由于系统在运行时,大功耗元件除LCD背景光外,就是SDRAM。偿和部分阵列刷新的Mobile SDRAM产品对降低功耗十分重要。如SAMSUNG K4M28163PD-RS1L,自动刷新电流85mA,4 bank激活突发模式为50mA,可使能SDRAM自动预充。这样在每次突发读写后,该bank进入空闲状态,电流可降到5.5mA。OMAP1510对K4M28163PD-RS1L进行控制时,应置K4S56163-RR75为全页突发,以减小访问时间,降低功耗。系统常有一些数据量不大的数据需要保存,可采用铁电存储器,如声音的音量、LCD的亮度。这些参数如果保存到FLASH或者EEPROM,功耗会更大。FLASH需要整块擦除。RAMTRON的FM24CL16在3V电源100kHz频率读写时,电流为75uA,standby电流为1uA。ATMEL AT24C16在5V 100kHz读写电流分别是0.4mA、2mA,在2.7V时standby电流为1.6uA。AT24CL16字节写入时间大约10ms,FM24CL16写入时间总为线时间,不需延时,因而功耗较小。SDRAM与FLASH、SRAM采用不同的接口,在调试ARM中断服务程序时,由于中断服务矢量位于低端地址,调试时最好有SRAM映射到0地址处。因此SRAM和FLASH的片选信号应该是可配置的。SRAM可选用Cypress CY62157DV18,典型工作电流10mA,standby电流为2uA