免费毕业论文--全遥控数字音量控制的D 类功率放(5)
2013-06-12 01:03
导读：口是分时传输地址、数据信号，地址信号只在某个时间段出现，并非一直有效，所以需要由地址锁存允许信号ALE将低8位的地址锁存到外部地址锁存器中，
口是分时传输地址、数据信号，地址信号只在某个时间段出现，并非一直有效，所以需要由地址锁存允许信号ALE将低8位的地址锁存到外部地址锁存器中，接着P0口便输入/输出数据。P0口输出的低8位地址来源于程序计数器PC低8位、数据指针DPTR8位、R1或R0。
图3-9 P1口的一位结构图
② P1口(P1.0—P1. 7，1—8脚)：
P1口是一个带内部上拉电阻的8位淮双向I/O口．P1口的每一位能驱动4个LSTTL负载，P1口作为输入口使用时，应先向口锁存器写“1”。
输出时，将“1”写入P1口的某一位锁存器，则对应连接在-Q上的场效应管截止，该位的输出由内部的上拉电阻将引脚拉成高电乎，输出“1”。将“0”写入锁存器，则对应连接在-Q上的场效应管导通，该位的引脚输出低电平，即输出“0”。
输入时，口锁存器必须置“1”，使输出场效应管截止，这时该位引脚由内部上拉电阻拉成高电平，也可以由外部电路拉成低电平。此时，引脚的状态由外接的输出设备的输出状态决定。CPU读Pl引脚的状态时，实际就是读外部输出设备的输出信息。P1口作为输入线时，可以被任何TTL电路或MOS电路驱动。由于内部有上拉电阻，也可以被集电极开路或漏极开路的电路驱动。
图3-10 P2口的一位结构图
③ P2口(P2.0—P2.7，21—28脚)：
P2口为准双向I/O口，有两种功能，对于内部拥有程序存储器，无须扩展外部ROM且无外部ROM的应用场合(无高8位地址需求)，P2口可作为输入/输出口使用，直接与外部设备相连。P2口也可用于系统扩展的地址总线口，输出地址总线的高8位A8—A15。对于内部没有程序存储器的单片机(如8031)，一般情况下只能作为系统扩展的高8位地址总线输出口．而不能作为与外部设备相连接的输入/输出口。 （科教范文网http://fw.NSEAC.com编辑发布）
P2口的输出驱动器有一个多路电子开关(MUX)，当MUX开关接至输出锁存器Q输出端时，P2口作为第一功能输出线，与P1口的功能相似；当MUX开关接至地址端时，P2口的状态由CPU送出的地址确定：访问程序存储器时，地址来源于程序计数器PC的高8位，输出地址A8—A15；访问数据存储器或I/O设备时，地址来源于数据指针DPTR的高8位DPH，特殊的采用间址寄存器R1或R0时，则P2口保持原有的地址信息不变。
图3-11 P3口的一位结构图
④ P3口(P3.0—P3.7，10—17脚)：
P3口为准双向多功能I/O口，可以分别定义为第一功能输入/输出线或第二功能输入/输出线。当P3口定义为第一功能输入/输出出线时，第二功能翰出线总是高电平。此引脚输出电平取决于口锁存器的状态，当输出“1”时，写人口锁存器的数据从Q端输出，使输出场效应管截止，引脚由上拉电路拉成高电平；当输出“0”时，写人口锁存器的数据从Q端输出，使输入场效应管导通，引脚输出低电平。同样，P3口的某一位作为输入线时，该位口锁存器应保持“1”，使输出场效应管截止，引脚状态由外部输入电平所确定。
当P3口定义为第二功能输入输出线时，该位的口锁存器必须保持“1”，输出场效应管的状态由第二功能输出确定。P3口的第二功能定义如下：
P3.0 RXD（串行输入口）
P3.1 TXD(串行输出口)
P3.2 INT0(外部中断0输入口)
P3.2 INT1(外部中断1输入口)
P3.4 T0(定时器0外部输入口)
P3.5 T1(定时器1外部输入口)
P3.6 WR(写选通输出口)
P3.7 RD(读选通输出口)
3.1.4 EEPROM24C02的功能特性及电路连接
（1）EEPROM 概述
EEPROM是一种可用电气方法在线擦除和再编程的只读存储器。它既有RAM在连机操作中可读可改写的特性，又具有非易失性存储ROM在掉电后仍然能够保持所存储的数据的优点。写入的数据在常温下至少可以保持10年。
EEPROM芯片有两类接口：并行接口和串行接口芯片。并行接口EEPROM一般相对容量大、速度快、功耗大和价格贵，但读写方法简单。串行EEPROM芯片的特点是体积小、功耗低、价格便宜，使用中占用系统的信号线较少；但相对工作速度慢，读写方法稍许复杂些。对于那些需要存放有时需要改变特征代码或参数的系统，通常所需要的字节和写入的次数不会很多，写入速度也没太高要求，这种情况下采用串行EEPROM是非常合适的。
（2）24C02的特点简介
24C02（A）是一种采用CMOS工艺制成的128/256/512/1K/2K/4K/8K*8位/14位引脚的串行的可用电擦除可编程只读存储器。自定时写周期包括自动擦除时间不超过10MS，典型时间为5MS。而MICROCHIP公司的串行EEPROM的擦除和写入1个字节数据时间可缩短为1毫秒以下。串行EEPROM一般具有两种写入方式，一种是字节写入，一种是页写入，允许在一个写周期内同时对1个字节到一页的若干字节进行编程写入，一页的大小取决于芯片内页寄存器的大小，不同公司的同种型号存储器的页寄存器可能不一样。例如ATMEL的 AT24C01/01A/02A的页寄存器为4B/8B/8B，而MICROCHIP的24C01/01A/02A页寄存器都为2B，24AA01页寄存器为8B。擦除/写入周期寿命一般都已经达到10万次以上，有的产品已经达到1000万次。
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采用单一电源+5V+/-0.1V，低功耗工作电流1毫安，备用状态时只有10微安；三态输出，与TTL电平兼容
