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具有快速光响应的ZnO紫外探测器的研制

2013-06-28 01:04

全部作者： 张景文 徐庆安 侯洵 第1作者单位： 西安交通大学 摘要： 利用射频溅射装置在石英衬底上生长了具有C轴择优取向的ZnO薄膜，通过光刻、真空蒸镀Al电极等工艺，制得了具有叉指状电极的平面结构光电导型紫外探测器。暗态及360nm光照下探测器的I-V特性均为线性，并有较大的差别，5V偏压下暗电流仅为0.038uA, 360nm处的光电响应度为1.8A/W。利用脉冲宽度为30ns的KrF准分子激光器和200MHz带宽的示波器搭建了响应时间测试平台，测试结果表明该探测器响应时间谱上升时间仅为100ns，下降时间为1.5us。 关键词： ZnO;紫外探测器，X射线衍射，透射谱，光电响应度，光电响应时间 (浏览全文) 发表日期： 2006年11月28日 同行评议：

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