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一种带高通滤波器的低噪声VCO的设计

2013-11-28 01:19

全部作者： 宋莹莹 唐守龙 第1作者单位： 东南大学ASIC工程中心 摘要： 本文提出了1种带高通滤波器的VCO的设计。该高通滤波器可以直接滤除低频噪声，从而改善VCO在1/f3区域的相位噪声性能。基于Chartered 0.25μm CMOS工艺的仿真结果表明，该VCO的频率范围能够覆盖200~470MHz，全频带的相位噪声低于-92dBc/Hz@10kHz，高通滤波器的加入可以使偏移频率为10kHz处的相位噪声减小2.4dB。 关键词： VCO 相位噪声 高通滤波器 (浏览全文) 发表日期： 2006年05月30日 同行评议：

请增加如下实验和相关数据：按照Chartered 0.25um工艺库完成所提出电路的版图设计，然后提取其版图网表，再使用Spectre RF进行后仿真，再比较电路的相位噪声性能。由此才能称实验结果是“基于Chartered 0.25μm CMOS工艺的仿真结果”。 另，建议在对电路图仿真时，对所用Chartered库中的RF管的模型精度进行必要介绍。　

综合评价： 修改稿： 注：同行评议是由特聘的同行专家给出的评审意见，综合评价是综合专家对各要素的评议得出的数值，以1至5颗星显示。