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全部作者: 张道礼 邓志兵 张建兵 陈良艳 赵岚 第1作者单位: 华中科技大学电子科学与技术系 摘要: 以金属无机盐SnCl2?2H2O和SbCl3为原料,用sol-gel法在普通的载玻片基底上制备了掺Sb的SnO2透明导电薄膜。薄膜在70oC干燥,400~550oC进行热处理。使用U-3310紫外可见光分光光度计对其光学透光率进行测试分析,薄膜具有80~90%的可见光透光率。使用从XRD衍射图来看锑掺杂SnO2薄膜具有和纯的SnO2薄膜1样的金红石结构,并用显微镜观察了薄膜。分析了锑掺杂的浓度、烧结温度以及拉膜的次数对薄膜性质的影响。 关键词: 锑掺杂2氧化锡薄膜 溶胶-凝胶法 透明导电薄膜 电学和光学性能 (浏览全文) 发表日期: 2006年08月31日 同行评议:
1、掺杂2氧化锡薄膜已有很多研究报导,本文参考文献引用需给出重要的原始文献,合成方法方面也应给出原始的英文文献(Thin Solid Films 1996)。 2、文章中文字错误较多,如“Sb”在引言中作者写为“Sib”,1些下标也不对;图6(b)的标尺未给出;英文摘要不够规范,建议重写。而图8则写为图6。 3、文中对晶粒变化对电阻率的解释前后矛盾,第3页中认为“晶粒趋于完整、致密,晶界相减少,从而减小了自由载流子迁移散射率,电子迁移率增大,导电性提高”,而在第4页中认为“晶粒随热处理温度的提高而长大,使得载流子迁移时受到晶界散射作用而导致迁移率降低的效应减少......”。 4、文章创新性不够,与他人已报导的研究成果相比并无先进的地方。
综合评价: 修改稿: 注:同行评议是由特聘的同行专家给出的评审意见,综合评价是综合专家对各要素的评议得出的数值,以1至5颗星显示。