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用于光电集成的InP 基HBT新结构

2013-06-25 01:19

全部作者： 崔海林 李轶群 王文娟 第1作者单位： 北京邮电大学 摘要： 对用于光电集成的InP 基HBT进行了分析，讨论了几种集电区不同结构的DHBT，提出了1个新的集电区外延结构，既可用于光电集成，又较好地解决了SHBT反向击穿电压低，DHBT有电子堆积效应的问题。同时，该结构具有外延层生长简单，集电区电子漂移速率高等优点。 关键词： 光电集成 HBT 复合集电区 (浏览全文) 发表日期： 2006年11月24日 同行评议：

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