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RTP预处理对直拉硅中铜沉淀行为及其电学性能的

2013-07-04 01:07

全部作者： 王维燕 杨德仁 第1作者单位： 浙江大学硅材料国家重点实验室 摘要： 我们使用红外扫描电镜，电子束诱生电流和微波光电导衰减仪等设备，研究了RTP预处理对直拉硅中Cu沉淀的行为及其电学性能的影响。实验发现，与没有经过RTP预处理的情形相比较，经RTP氩气气氛1200℃或1100℃预处理，几乎对硅中Cu沉淀的尺寸和大小没有影响，但导致硅片复合强度的增强和少子寿命的降低。然而经RTP氧气气氛1200℃或1100℃的预处理，将会抑制Cu沉淀的形成并导致大尺寸Cu沉淀团聚，但仍然导致硅片少子寿命的降低。以上实验结果表明，RTP预处理时注入的空位或自间隙硅原子会对硅中Cu沉淀的行为及其电学性能产生影响。此外，相比经RTP1100℃或氧气气氛下预处理的硅片，经RTP1200℃或氩气气氛下预处理的硅片具有更低的少子寿命。 关键词： 硅，快速热处理，寿命 (浏览全文) 发表日期： 2006年10月26日 同行评议：

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