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平带条件下SOI nLIGBT漂移区表面小注入间接复

2013-09-06 01:12

全部作者： 张海鹏 徐丽燕 华柏兴 牛小燕 林弥 吕伟锋 高明煜 吕幼华 第1作者单位： 杭州电子科技大学 摘要： 首次提出了1种基于硅-2氧化硅界面态能级连续分布多项式插值近似的平带条件下SOI nLIGBT漂移区表面小注入间接复合寿命模型。该模型基于硅-2氧化硅界面平整、界面态起作用的硅表面层厚度为德拜长度、强n型非简并硅等假设。建模过程中根据根据界面态间接复合作用的强弱将所关心的界面态分布能域分为3个区，并分别在3个区域内对能量积分再求和，然后取倒数而得。 关键词： 小注入；SOI nLIGBT；漂移区表面；间接复合寿命；模型；界面态分布 (浏览全文) 发表日期： 2007年01月10日 同行评议：

提出了平带条件下SOI NLIGBT漂移区表面小注入间接复合寿命模型，所建模型比较简单，有1定新意。 修改之处：1.给出SOI NLIGBT的全称 2.所建模型是否对不同结构的SOI NLIGBT都适用？（如图3 中的2种结构） 3.如何检验所建寿命模型的准确性？4.中英文摘要不匹配，重写。关键词有点多，删去1－2个。

综合评价： 修改稿： (第1版)(2007-07-24) 注：同行评议是由特聘的同行专家给出的评审意见，综合评价是综合专家对各要素的评议得出的数值，以1至5颗星显示。